对医疗职业而言，南京从疾病诊断到药物研制，从资源配置优化到患者体会，医疗智能化落地的场景逐步被描绘明晰。

1、珍珠珠仿真条件--BMF240R12E2G3不并联用于125kW三相四桥臂PCS仿真65℃/70℃/80℃散热器温度下，珍珠珠PCS整流和逆变三相四桥拓扑中E2B模块1倍负载(125kW)、1.1倍负载(137.5kW)、1.2倍负载(150kW)碳化硅MOSFET的损耗和结温。6、泉泉水碳化硅MOSFET和集成电路在125kW工商业PCS运用中的选型（三相四桥臂）三、泉泉水主电路选用的碳化硅MOSFET器材1、Pcore2E2B系列碳化硅MOSFET工业模块产品亮点低导通电阻，高温RDS(on)体现优异内部集成碳化硅SBD,管压下降且根本没有反向康复行为低开关损耗，开关损耗随温度上升反而下降高阈值电压，下降误导通危险高功能Si3N4AMB和高温焊料引进，进步产品牢靠性支撑Press-Fit压接和Soldering焊接工艺集成NTC温度传感器运用范畴大功率快速充电桩150AAPF125kWPCS高端工业电焊机高频DCDC变换器电机驱动操控1）碳化硅MOSFET芯片选用内嵌碳化硅SBD的技能在碳化硅MOSFET的元胞中嵌入碳化硅SBD元胞，能够显着进步碳化硅MOSFET的功能。

5、地下结温文损耗仿真数据--120%负载（逆变工况）不同工况下的结温、地下损耗比照：仿真65℃/70℃/80℃散热器温度下，PCS拓扑中PcoreTM2E2B模块1.2倍负载(150kW)碳化硅MOSFET的损耗和结温。当副边需求功率大于6W时，冒出能够运用推挽逆变拓扑，经过DC1和DC2端操控外接的MOSFET来添加输出功率。根本半导体把握碳化硅中心技能，似明研制掩盖碳化硅功率半导体的芯片规划、似明晶圆制作、封装测验、驱动运用等产业链关键环节，具有知识产权两百余项，中心产品包含碳化硅二极管和MOSFET芯片、轿车级及工业级碳化硅功率模块、功率器材驱动芯片等，功能到达国际先进水平，服务于电动轿车、风景储能、轨道交通、工业操控、智能电网等范畴的全球数百家客户。

1、南京碳化硅MOSFET驱动板参阅规划即插即用驱动板型号为BSRD-2423-ES01两组输入电压，南京分别是24V和5V2通道输出，单通道输出功率2W驱动芯片直接输出峰值拉灌电流10A，无须外置推进级可支撑驱动1200V的功率器材(碳化硅MOSFET)2、阻隔驱动专用正激DC-DC芯片BTP1521x输出功率可达6W适用于给阻隔驱动芯片副边电源供电正激电路（H桥逆变或推挽逆变）软启动时刻1.5ms作业频率可编程，最高作业频率可达1.3MHzVCC供电电压可达24VVCC欠压维护点4.7V作业环境-40~125℃芯片过温维护点150℃,过温康复点120℃超小体积封装BTP1521x运用引荐电路图DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W,输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供碳化硅MOSFET运用，十分适用于给阻隔驱动芯片副边电源供电。公司具有一支国际化的研制团队，珍珠珠中心团队由来自清华大学、珍珠珠我国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外闻名高校及研究机构的博士组成。

一、泉泉水125kW工商业储能PCS干流解决计划工商业储能体系PCS的拓扑结构规划至关重要，咱们罗列几个较为典型的计划。

2、地下仿真拓扑--三相四桥臂PCS温度和损耗监控U相，V相，W相中其间一桥臂的碳化硅MOSFET，此次仿真监控蓝色框内的碳化硅MOSFET。两年前，冒出在数字城市范畴，AI更多依据小模型，比方算法只做人脸辨认，或只做车牌辨认，产品受限很大，研制本钱很高，能够扩展的空间不多。

他们在通用大模型根底上练习职业专用模型，似明运用到金融、医疗、教育、养老、交通等笔直职业。以教育职业为例，南京众数信科依托云从的沉着大模型，首要打造出了适用于校园、练习组织的教育职业专用模型，并已在厦门部分区域试点运用。

在前者的根底上，珍珠珠依托云从的沉着大模型，珍珠珠选用常识蒸馏、权值量化、剪枝等工程化手法，将通用、巨大的教师网络，练习成一个特定职业的学生网络。其次，泉泉水AI产品进入职业，泉泉水需求跟外部职业运用做适配协同，现在国内的AI大模型做得还不行老练，当下这个时刻点，AI大厂还不太具有工程化落地的才干。